Nhìn chung, SRAM và DRAM là những công nghệ bộ nhớ cổ điển, khả biến và có thể mở rộng, chúng thường được trang bị trên những dòng máy tính thế hệ cũ. Còn những công nghệ bộ nhớ mới hơn cho hiệu suất nhanh hơn, bổ sung thêm tính năng không khả biến (non-volatility) và tiết kiệm lượng điện rò rỉ thường được sử dujnng trong các dòng máy thế hệ sau.
CÓ BAO NHIÊU LOẠI CÔNG NGHỆ RAM KHÁC NHAU?
Như các bạn đã biết, để nâng cao hiệu suất cho một chiếc máy tính thì RAM đóng vai trò vô cùng quan trọng. Tại sao lại như vậy? Bởi vì RAM không chỉ là bộ phận xử lý dữ liệu, khiến các tác vụ trở nên mượt mà hơn mà còn là nơi lưu trữ các thông tin cho bộ vi xử lý. Vậy trên thị trường hiện tại có bao nhiêu loại công nghệ RAM khác nhau? Đặc điểm nhận dạng của chúng là gì? Ngay sau đây, bạn hãy cùng Sửa chữa laptop 24h .com đi tìm hiểu về những loại RAM hiện có nhé!
>>> Khái niệm về Ram
Tìm hiểu các loại công nghệ RAM laptop hiện có trên thị trường
Công nghệ DRAM
DRAM (hay Dynamic Random Access Memory) là một bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động hay còn gọi là RAM động, chúng được sử dụng rộng rãi trên các hệ thống máy tính như là bộ nhớ chính.
Về mặt năng lực, DRAM có thể đạt dung lượng 8GB cho mỗi chip trong IC hiện đại. Về mặt vật lý, nó lưu trữ mỗi bit dữ liệu trong một tụ điện riêng bên trong mạch tích hợp. Tụ điện có thể được nạp hoặc xả, hai trạng thái này đại diện cho hai trạng thái của một bit (thường gọi là 0 và 1). DRAM được gọi là RAM động vì nó cần được làm mới (refresh) hoặc nạp điện sau khoảng vài mili giây để bù đắp cho sự rò rỉ điện từ tụ điện vì nếu không làm như vậy thì các bit dữ liệu lưu trên DRAM sẽ bị mất dần.
Công nghệ DRAM DDR4 của Samsung
RAM truyền thống trên các dòng máy tính đời cũ đều là DRAM. Những loại máy mới hơn sẽ được sử dụng DDR (Dual Data Rate hay gọi là tốc độ dữ liệu kép) DRAM để nâng cao hiệu suất cho máy.
>>> Hướng dẫn cách nâng cấp RAM cho máy tính
Công nghệ SRAM
SRAM (Static random-access memory) là bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên tĩnh hay còn có tên gọi khác là RAM tĩnh, luôn luôn lưu trữ các bit dữ liệu trong bộ nhớ miễn là được cung cấp đầy đủ nguồn điện. Khác với DRAM phải lưu bit dữ liệu trong các pin chứa tụ điện và bóng bán dẫn, sau đó thường xuyên refresh liên tục; SRAM không cần phải làm như vậy.
SRAM được cấu tạo chỉ chứa bóng bán dẫn và biến tần, dữ liệu đưa vào SRAM dưới sự hỗ trợ của bitline và được chuyển tiếp bởi wordline. Biến tần được sử dụng để tạo feedback, dùng làm đầu vào cho các bóng bán dẫn, do đó mà SRAM không cần phải làm mới hàng nghìn lần trong một chu kỳ như người anh em DRAM của mình.
Công nghệ SRAM
Tuy nhiên, SRAM lại có hạn chế là khá cồng kềnh, đòi hỏi nhiều không gian hơn và tiêu thụ nhiều điện năng hơn DRAM do trong một bit bộ nhớ có tới 6 bóng bán dẫn ( trong khi 1 bit bộ nhớ của DRAM chỉ có 1 bóng bán dẫn). Chính vì vậy, SRAM nhanh hơn nhưng cũng đắt hơn DRAM rất nhiều nên nó thường được sử dụng bên trong CPU hay sử dụng như bộ nhớ cache và bộ nhớ chính trong các máy chủ để cho hiệu năng cao nhất.
Công nghệ SDRAM
SDRAM (Synchronous dynamic random access memory) là bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động đồng bộ. Giống như DRAM, SDRAM cũng được đồng bộ hóa với bus hệ thống. Đây là tên chung cho những loại DRAM khác nhau được đồng bộ hóa với tốc độ xung nhịp tối ưu của vi xử lý CPU.
SDRAM
SDRAM có thể chạy ở tốc độ xung nhịp cao hơn nhiều so với bộ nhớ thông thường do được đồng bộ với bus của CPU với khả năng chạy ở mức 133MHz, nhanh hơn gấp khoảng 3 lần so với RAM FPM thông thường và khoảng 2 lần so với DRAM EDO, DRAM BEDO. Cũng vì nguyên nhân này mà hiện tại SDRAM đang dần thay thế DRAM EDO trong nhiều dòng máy tính đời mới.
>>> Những điều cần chú ý khi nâng cấp RAM
Công nghệ MRAM
MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) là bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên từ điện trở hay RAM từ điện trở. Nó là loại bộ nhớ không tự xóa, lưu trữ dữ liệu dựa trên nguyên lý hiệu ứng từ điện trở khổng lồ (hay nói chính xác là hiệu ứng từ điện trở chui hầm).
MRAM lưu trữ dữ liệu trong nam châm nano. Loại công nghệ RAM này có độ trễ đọc nhanh như bất cứ thứ gì trong CPU và độ trễ khi ghi tính được là một nano giây (1 phần tỷ giây). Bộ nhớ này cũng có cấu tạo khá phức tạp so với nhiều loại công nghệ RAM khác hiện có trên thị trường.
Công nghệ MRAM
MRAM sử dụng cực kì ít năng lượng cho nên nó rất lý tưởng cho các bộ nhớ trên chip. Ngoài ra, nó còn có nhiều ưu điểm như khả năng lưu trữ lớn hơn, thời gian truy cập nhanh hơn và đặc biệt là MRAM có thể giữ lại nội dung cho đến khi máy tính bị ngắt điện. Tuy nhiên, hiện tại dòng RAM này chỉ có với dung lượng khá nhỏ, nếu bạn cần tìm một dòng RAM dung lượng lớn thì không nên lựa chọn MRAM.
>>> Laptop chạy chậm có nên nâng cấp Ram
Công nghệ ReRAM
ReRAM (Resistive Random Access Memory) là bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên điện trở hay còn gọi là RAM điện trở, được coi như một sự thay thế hiện đại cho công nghệ flash với cấu trúc và đặc điểm tương tự như công nghệ MRAM. Song, dòng ReRAM lại có nhiều ưu điểm hơn so với MRAM khi đạt được tốc độ đọc, ghi ở mức nano giây, có nhiều tiềm năng cho đĩa, cụ thể:
– Một là, ReRAM có điện trở cao hơn, cho phép cấu trúc bộ nhớ dày hơn (gọi là điểm tràn), cho phép diện tích ô nhớ (cell) ít hơn.
Công nghệ ReRAM ưu việt
– Hai là, ReRAM lưu trữ nhiều mức hơn cho mỗi ô, cho phép lưu trữ nhiều bit. Điều đó có nghĩa là một mảng ReRAM riêng lẻ có thể tăng công suất mà không cần tốn thêm diện tích (có thể đạt được 7 bit cho mỗi ô).
Tuy nhiên, nói như vậy không có nghĩa là ReRAM không có nhược điểm. Hạn chế lớn nhất của dòng RAM này chính là cần điện áp cao tương đối dẫn đến tiêu thụ nhiều điện năng hơn để ghi, khó tích hợp với các tiến trình CMOS và độ bền kém khiến nó không được dùng để làm bộ nhớ cache.
Công nghệ FRAM
FRAM (Ferroelectric random access memory) là bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên điện-sắt hay còn có tên khác là RAM điện-sắt. RAM này có nguyên lý hoạt động tương tự DRAM; khác biệt duy nhất nằm ở chỗ vật liệu trong tụ điện là nam châm nên nó lưu trữ thông tin bằng cách thay đổi giá trị điện dung.
Công nghệ FRAM
Nếu coi tụ điện như một thùng chứa điện, thì quá trình thay đổi giá trị điện dung này giống như việc thay đổi kích thước của thùng để lưu trữ thông tin. FRAM có độ bền rất cao, hơn 10^15, hiệu suất tương tự như DRAM nhưng không động. Về mặt lý thuyết, FRAM được coi là tốt hơn nhiều so với DRAM.
Công nghệ PCM
PCM (Phase change memory) là bộ nhớ thay đổi pha, có nhiều đặc tính giống với ReRAM nhưng cơ chế vật lý thì lại khác hoàn toàn. Do đó, nó có độ bền thấp khoảng 10^8. Tuy nhiên, các nhà thiết kế đã tạo ra những thủ thuật thông minh để giúp cho PCM có thể thay thế một số ứng dụng của DRAM và được chế tạo với những bộ phận tương thích với DIMM có sẵn.
Công nghệ PCM
Nhìn chung, SRAM và DRAM là những công nghệ bộ nhớ cổ điển, khả biến và có thể mở rộng, chúng thường được trang bị trên những dòng máy tính thế hệ cũ. Còn những công nghệ bộ nhớ mới hơn cho hiệu suất nhanh hơn, bổ sung thêm tính năng không khả biến (non-volatility) và tiết kiệm lượng điện rò rỉ thường được sử dujnng trong các dòng máy thế hệ sau.
Trong số những công nghệ RAM kể trên thì có MRAM và FRAM là cho độ bền tốt đủ để sử dụng trên chip; có độ trễ đạt yêu cầu đối với các mạch chip. ReRAM và PCM có khả năng thay thế công nghệ DRAM truyền thống và dễ dàng vượt qua flash, disk cho việc lưu trữ lâu dài.
Nếu bạn đang có nhu cầu nâng cấp RAM cho chiếc máy tính của mình để nó chạy mượt mà hơn thì hãy tham khảo những thông tin trên để có thể lựa chọn cho mình một công nghệ phù hợp nhất nhé. Sửa chữa laptop 24h .com chúc các bạn thành công!
